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IRGP4065DPBF
IRGP4065DPBF -
IGBT 300V 70A 160W TO247AC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGP4065DPBF
仓库库存编号:
IRGP4065DPBF-ND
描述:
IGBT 300V 70A 160W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 300V 70A 160W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRGP4065DPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Power - Max
160W
Current - Collector (Ic) (Max)
70A
测试条件
180V,25A,10 欧姆,15V
开关能量
-
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,70A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/170ns
栅极电荷
62nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGP4065DPbF
标准包装
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 散装
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-247AC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
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输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
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Power - Max 160W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 160W
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Current - Collector (Ic) (Max) 70A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A
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测试条件 180V,25A,10 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 180V,25A,10 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 180V,25A,10 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 180V,25A,10 欧姆,15V
开关能量 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,70A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,70A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,70A
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/170ns
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 62nC
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