IRGP50B60PD1PBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IRGP50B60PD1PBF
IRGP50B60PD1PBF -
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGP50B60PD1PBF
仓库库存编号:
IRGP50B60PD1PBF-ND
描述:
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGP50B60PD1PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
390W
Current - Collector (Ic) (Max)
75A
测试条件
390V,33A,3.3 欧姆,15V
开关能量
255μJ(开),375μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.85V @ 15V,50A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/130ns
栅极电荷
205nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGP50B60PD1PbF
设计资源
IRGP50B60PD1PBF Saber Model
IRGP50B60PD1PBF Spice Model
标准包装
25
其它名称
*IRGP50B60PD1PBF
92-0263PBF
92-0263PBF-ND
SP001534060
IRGP50B60PD1PBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Bergquist
THERMAL PAD TO-247 .006" K10
详细描述:Thermal Pad Beige 25.40mm x 19.05mm Rectangle
型号:
SPK10-0.006-00-104
仓库库存编号:
BER120-ND
别名:BER120
BG426844
K10-104
SPK10000600104
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 415W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N60C3
仓库库存编号:
SPW47N60C3IN-ND
别名:SP000013953
SPW47N60C3FKSA1
SPW47N60C3IN
SPW47N60C3X
SPW47N60C3XK
SPW47N60C3XTIN
SPW47N60C3XTIN-ND
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 308W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP35B60PDPBF
仓库库存编号:
IRGP35B60PDPBF-ND
别名:*IRGP35B60PDPBF
63-6008PBF
63-6008PBF-ND
SP001546216
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 43.3A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R080CFD
仓库库存编号:
IPW65R080CFD-ND
别名:IPW65R080CFDFKSA1
SP000745036
无铅
搜索
IRGP50B60PD1PBF相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 散装
Infineon Technologies 包装 散装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-247AC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 42ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 42ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 42ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 390W
Infineon Technologies Power - Max 390W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 390W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 390W
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 75A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A
测试条件 390V,33A,3.3 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 390V,33A,3.3 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,33A,3.3 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,33A,3.3 欧姆,15V
开关能量 255μJ(开),375μJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 255μJ(开),375μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 255μJ(开),375μJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 255μJ(开),375μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.85V @ 15V,50A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.85V @ 15V,50A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.85V @ 15V,50A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.85V @ 15V,50A
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/130ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/130ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/130ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/130ns
栅极电荷 205nC
Infineon Technologies 栅极电荷 205nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 205nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 205nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号