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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	D-Pak
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	68ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	35W
Current - Collector (Ic) (Max)	6.3A
测试条件	400V，2A，100 欧姆，15V
开关能量	74μJ（开），39μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	8A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.25V @ 15V，2A
25°C 时 Td（开/关）值	11ns/150ns
栅极电荷	12nC
关键词

产品资料

数据列表	IRGR2B60KDPbF
标准包装	75
其它名称	SP001534018

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 D-Pak  Infineon Technologies 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 68ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 68ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 68ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 68ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 35W  Infineon Technologies Power - Max 35W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 35W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 35W   Current - Collector (Ic) (Max) 6.3A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 6.3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.3A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.3A   测试条件 400V，2A，100 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，2A，100 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，2A，100 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，2A，100 欧姆，15V   开关能量 74μJ（开），39μJ（关）  Infineon Technologies 开关能量 74μJ（开），39μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 74μJ（开），39μJ（关）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 74μJ（开），39μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 8A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 8A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 8A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 8A   IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.25V @ 15V，2A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.25V @ 15V，2A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.25V @ 15V，2A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.25V @ 15V，2A   25°C 时 Td（开/关）值 11ns/150ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/150ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/150ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/150ns   栅极电荷 12nC  Infineon Technologies 栅极电荷 12nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC