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IRGR3B60KD2TRP
IRGR3B60KD2TRP -
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
不提供增值包装;备有另选包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGR3B60KD2TRP
仓库库存编号:
IRGR3B60KD2TRPCT-ND
描述:
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 7.8A 52W Surface Mount D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGR3B60KD2TRP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
D-Pak
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
77ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
52W
Current - Collector (Ic) (Max)
7.8A
测试条件
400V,3A,100 欧姆,15V
开关能量
62μJ(开),39μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
15.6A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,3A
25°C 时 Td(开/关)值
18ns/110ns
栅极电荷
13nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGR3B60KD2PbF
标准包装
1
其它名称
IRGR3B60KD2TRPCT
IRGR3B60KD2TRP替代的封装
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
Infineon Technologies 零件状态 已不再提供
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 供应商器件封装 D-Pak
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 77ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 52W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 52W
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Current - Collector (Ic) (Max) 7.8A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 7.8A
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测试条件 400V,3A,100 欧姆,15V
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开关能量 62μJ(开),39μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 15.6A
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IGBT 类型 NPT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,3A
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25°C 时 Td(开/关)值 18ns/110ns
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栅极电荷 13nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 13nC
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