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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-263AB
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	430V
Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	-
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.75V @ 5V，14A
25°C 时 Td（开/关）值	900ns/6μs
栅极电荷	27nC
关键词

产品资料

数据列表	IRG(S,SL,B)14C40L
标准包装	1
其它名称	IRGS14C40LTRLPCT

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-263AB  Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263AB   输入类型 逻辑  Infineon Technologies 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V   Power - Max 125W  Infineon Technologies Power - Max 125W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 -  Infineon Technologies 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.75V @ 5V，14A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.75V @ 5V，14A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.75V @ 5V，14A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.75V @ 5V，14A   25°C 时 Td（开/关）值 900ns/6μs  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/6μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/6μs  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/6μs   栅极电荷 27nC  Infineon Technologies 栅极电荷 27nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 27nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 27nC