IRGS4607DPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IRGS4607DPBF
IRGS4607DPBF -
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGS4607DPBF
仓库库存编号:
IRGS4607DPBF-ND
描述:
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGS4607DPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
D2PAK
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
48ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
58W
Current - Collector (Ic) (Max)
11A
测试条件
400V,4A,100 欧姆,15V
开关能量
140μJ(开),62μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
12A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.05V @ 15V,4A
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/120ns
栅极电荷
9nC
关键词
产品资料
标准包装
50
其它名称
SP001535930
IRGS4607DPBF相关搜索
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 D2PAK
Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 48ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 48ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 48ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 48ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 58W
Infineon Technologies Power - Max 58W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 58W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 58W
Current - Collector (Ic) (Max) 11A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 11A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 11A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 11A
测试条件 400V,4A,100 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 400V,4A,100 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,4A,100 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,4A,100 欧姆,15V
开关能量 140μJ(开),62μJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 140μJ(开),62μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 140μJ(开),62μJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 140μJ(开),62μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
IGBT 类型 -
Infineon Technologies IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,4A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,4A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,4A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,4A
25°C 时 Td(开/关)值 27ns/120ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/120ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/120ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/120ns
栅极电荷 9nC
Infineon Technologies 栅极电荷 9nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 9nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 9nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号