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IRGSL15B60KDPBF
IRGSL15B60KDPBF -
IGBT 600V 31A 208W TO262
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGSL15B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGSL15B60KDPBF-ND
描述:
IGBT 600V 31A 208W TO262
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole PG-TO262-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGSL15B60KDPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
PG-TO262-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
92ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
208W
Current - Collector (Ic) (Max)
31A
测试条件
400V,15A,22 欧姆,15V
开关能量
220μJ(开),340μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
62A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
34ns/184ns
栅极电荷
56nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG(B,S,SL)15B60KDPbF
标准包装
150
其它名称
SP001546378
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 PG-TO262-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO262-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO262-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO262-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 92ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 208W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 208W
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Current - Collector (Ic) (Max) 31A
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测试条件 400V,15A,22 欧姆,15V
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开关能量 220μJ(开),340μJ(关)
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栅极电荷 56nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 56nC
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