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IRL3103D2STRL
IRL3103D2STRL -
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRL3103D2STRL
仓库库存编号:
IRL3103D2STRL-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRL3103D2STRL产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
系列
FETKY??
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
44nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
14 毫欧 @ 32A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
54A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2300pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
标准包装
800
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103PBF
仓库库存编号:
IRL3103PBF-ND
别名:*IRL3103PBF
SP001571808
无铅
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包装 带卷(TR)
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供应商器件封装 D2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 14 毫欧 @ 32A,10V
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