IRLML2803GTRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRLML2803GTRPBF - 

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

Infineon Technologies IRLML2803GTRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML2803GTRPBFCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRLML2803GTRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  Micro3?/SOT-23  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  250 毫欧 @ 910mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  85pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  540mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRLML2803GPbF
标准包装 1
其它名称 IRLML2803GTRPBFCT

IRLML2803GTRPBF您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRLML2803GTRPBF相关搜索

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 Micro3?/SOT-23  Infineon Technologies 供应商器件封装 Micro3?/SOT-23  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 Micro3?/SOT-23  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 Micro3?/SOT-23   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 910mA，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 910mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 910mA，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 910mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号