IRLMS1503TRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503TRPBF -
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRLMS1503TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1503PBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRLMS1503TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
Micro6?(TSOP-6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9.6nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 2.2A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
210pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
IRLMS1503PbF
设计资源
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IRLMS1503TR Spice Model
标准包装
1
其它名称
*IRLMS1503TRPBF
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