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IRLMS2002TRPBF - 

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS2002PBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLMS2002TRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  Micro6?(SOT23-6)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  22nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  30 毫欧 @ 6.5A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.5A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1310pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRLMS2002PbF
设计资源 IRLMS2002TR Saber Model
IRLMS2002TR Spice Model
标准包装 1
其它名称 *IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002PBFCT

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型号 制造商 描述 操作
IRLMS2002TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl

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IRLMS2002TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R (Alt: IRLMS2002TRPBF)

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23-6

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IRLMS2002TRPBF
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MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23-6

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IRLMS2002TRPBF.
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N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6, FUL

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IRLMS2002TRPBF
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Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

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IRLMS2002TRPBF
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLMS2002TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.03Ohm, ID 6.5A, Micro6, PD 2W, VGS +/-12V, -55d

RoHS: Compliant

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IRLMS2002TRPBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: MICRO6 Polarity: N Power dissipation: 2 W

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IRLMS2002TRPBF
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TSOP

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IRLMS2002TRPBF|International RectifierIRLMS2002TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
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Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF - MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)

型号:IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号:IRLMS2002PBFCT-ND
别名:*IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002PBFCT
无铅搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLMS2002TRPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装

制造商零件编号:
IRLMS2002TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3326
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International Rectifier - IRLMS2002TRPBF - -55d VGS +/-12V PD 2W Micro6 ID 6.5A RDS(ON) 0.03Ohm VDSS 20V N-Ch MOSFET, Power|70017108 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.03Ohm; ID 6.5A; Micro6; PD 2W; VGS +/-12V; -55d


型号:IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号:70017108

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLMS2002TRPBF.
INFINEON IRLMS2002TRPBF.
2410699

INFINEON

场效应管, N通道, MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO-6, 整卷

(EN)
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IRLMS2002TRPBF
INFINEON IRLMS2002TRPBF
2577180

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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IRLMS2002TRPBF
INFINEON IRLMS2002TRPBF
2577230

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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IRLMS2002TRPBF.
INFINEON IRLMS2002TRPBF.
9765913

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP

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IR - IRLMS2002TRPBF - MOSFET N, 20 V 5.2 A 2 W MICRO6, IRLMS2002TRPBF, IR
IR
MOSFET N, 20 V 5.2 A 2 W MICRO6, IRLMS2002TRPBF, IR


型号:IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号:171-39-728

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IRLMS2002TRPBF|International RectifierIRLMS2002TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Rohs

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IRLMS2002TRPBF|International RectifierIRLMS2002TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Rohs

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