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IRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBF -
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRLS4030TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS4030TRLPBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRLS4030TRLPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
130nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.3 毫欧 @ 110A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
11360pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
370W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRLS(L)4030PBF
标准包装
1
其它名称
IRLS4030TRLPBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS4030TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS4030TRL7PPCT-ND
别名:IRLS4030TRL7PPCT
无铅
搜索
STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A D2PAK
型号:
STPS30SM60SG-TR
仓库库存编号:
497-12329-1-ND
别名:497-12329-1
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 HEXFET?
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 D2PAK
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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