IRLU3410PBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRLU3410PBF
IRLU3410PBF -
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRLU3410PBF
仓库库存编号:
IRLU3410PBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRLU3410PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
IPAK(TO-251)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
34nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
105 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
800pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRLR/U3410PbF
设计资源
IRLU3410PBF Saber Model
IRLU3410PBF Spice Model
标准包装
75
其它名称
*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
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仓库库存编号:
IRLU024NPBF-ND
别名:*IRLU024NPBF
64-4164PBF
64-4164PBF-ND
SP001553260
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
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仓库库存编号:
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别名:*IRFU5505PBF
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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