IRLU3802PBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRLU3802PBF
IRLU3802PBF -
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRLU3802PBF
仓库库存编号:
IRLU3802PBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 12V 84A(Tc) 88W(Tc) I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRLU3802PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
I-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
41nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.5 毫欧 @ 15A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
84A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2490pF @ 6V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
功率耗散(最大值)
88W(Tc)
漏源电压(Vdss)
12V
关键词
产品资料
数据列表
IRLR3802PbF, IRLU3802PbF
设计资源
IRLR3802PBF Saber Model
IRLR3802PBF Spice Model
标准包装
75
其它名称
*IRLU3802PBF
SP001559000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708PBF
仓库库存编号:
IRF3708PBF-ND
别名:*IRF3708PBF
SP001553964
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4815N-35G
仓库库存编号:
NTD4815N-35GOS-ND
别名:NTD4815N-35G-ND
NTD4815N-35GOS
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详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
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别名:SP001561460
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详细描述:通孔 P 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92
型号:
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详细描述:通孔 N 沟道 530mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
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仓库库存编号:
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