关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
系列	HEXFET?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	I-Pak
技术	MOSFET（金属氧化物）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	47nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	105 毫欧 @ 3.4A，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 50V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	55V
关键词

产品资料

数据列表	IRL(R,U)9343 (-701) PbF
标准包装	6,525
其它名称	*IRLU9343PBF SP001568868

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 I-Pak  Infineon Technologies 供应商器件封装 I-Pak  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 3.4A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 3.4A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 3.4A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 3.4A，10V   FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 50V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 50V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 50V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 55V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V