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IRS21956SPBF
IRS21956SPBF -
IC DVR HI SIDE/DUAL LOW 20-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRS21956SPBF
仓库库存编号:
IRS21956SPBF-ND
描述:
IC DVR HI SIDE/DUAL LOW 20-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 20-SOIC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRS21956SPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
电压 - 电源
10 V ~ 20 V
供应商器件封装
20-SOIC
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
25ns,15ns
通道类型
独立式
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
500mA,500mA
逻辑电压?- VIL,VIH
0.8V,3.5V
驱动配置
半桥
驱动器数
2
高压侧电压 - 最大值(自举)
600V
关键词
产品资料
数据列表
IRS21956S
标准包装
36
其它名称
SP001548832
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PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
PMIC - 栅极驱动器 系列 -
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包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
PMIC - 栅极驱动器 包装 管件
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 包装 管件
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
PMIC - 栅极驱动器 零件状态 过期
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 零件状态 过期
电压 - 电源 10 V ~ 20 V
Infineon Technologies 电压 - 电源 10 V ~ 20 V
PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V
供应商器件封装 20-SOIC
Infineon Technologies 供应商器件封装 20-SOIC
PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 20-SOIC
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 20-SOIC
输入类型 非反相
Infineon Technologies 输入类型 非反相
PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相
上升/下降时间(典型值) 25ns,15ns
Infineon Technologies 上升/下降时间(典型值) 25ns,15ns
PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间(典型值) 25ns,15ns
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间(典型值) 25ns,15ns
通道类型 独立式
Infineon Technologies 通道类型 独立式
PMIC - 栅极驱动器 通道类型 独立式
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 通道类型 独立式
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
Infineon Technologies 栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 500mA,500mA
Infineon Technologies 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 500mA,500mA
PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 500mA,500mA
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 500mA,500mA
逻辑电压?- VIL,VIH 0.8V,3.5V
Infineon Technologies 逻辑电压?- VIL,VIH 0.8V,3.5V
PMIC - 栅极驱动器 逻辑电压?- VIL,VIH 0.8V,3.5V
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驱动配置 半桥
Infineon Technologies 驱动配置 半桥
PMIC - 栅极驱动器 驱动配置 半桥
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驱动器数 2
Infineon Technologies 驱动器数 2
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高压侧电压 - 最大值(自举) 600V
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