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PTAB182002TCV2R250XTMA1 - 

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PTAB182002TCV2R250XTMA1
仓库库存编号：
PTAB182002TCV2R250XTMA1-ND
描述：
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PTAB182002TCV2R250XTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  H-49248H-4  
  制造商  Infineon Technologies  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  频率  1.805GHz ~ 1.88GHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  H-49248H-4  
  电压 - 额定  65V  
  额定电流  10μA  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  520mA  
  增益  14.8dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  28V  
  功率 - 输出  29W  
关键词         

产品资料
标准包装 250
其它名称 SP001483354

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Infineon Technologies - PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4		Infineon Technologies
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4

型号：PTAB182002TCV2R250XTMA1
仓库库存编号：PTAB182002TCV2R250XTMA1-ND
别名：SP001483354 <br> 		无铅搜索
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