PTFA211801EV5R0XTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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PTFA211801EV5R0XTMA1 - 

RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies PTFA211801EV5R0XTMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PTFA211801EV5R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFA211801EV5R0XTMA1-ND
描述:
RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.5dB 180W H-36260-2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PTFA211801EV5R0XTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  2-扁平封装,叶片引线,带法兰  
  制造商  Infineon Technologies  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  频率  2.11GHz ~ 2.17GHz  
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  H-36260-2  
  电压 - 额定  65V  
  额定电流  10μA  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  1.2A  
  增益  15.5dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  28V  
  功率 - 输出  180W  
关键词         

产品资料
标准包装 50
其它名称 SP001422972

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