PTFA212001EV4R0XTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 射频
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PTFA212001EV4R0XTMA1 - 

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

  • 零件状态：过时；购买截止日期：01-31-2018。可能有最低购买数量。
Infineon Technologies PTFA212001EV4R0XTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PTFA212001EV4R0XTMA1
仓库库存编号：
PTFA212001EV4R0XTMA1-ND
描述：
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Mosfet LDMOS 30V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.8dB 200W H-36260-2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PTFA212001EV4R0XTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  2-扁平封装，叶片引线，带法兰  
  制造商  Infineon Technologies  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  频率  2.11GHz ~ 2.17GHz  
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  H-36260-2  
  电压 - 额定  65V  
  额定电流  10μA  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  1.6A  
  增益  15.8dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  30V  
  功率 - 输出  200W  
关键词         

产品资料
数据列表 PTFA212001E,F
标准包装 50
其它名称 SP001422974

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