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PTFA212401E V4
PTFA212401E V4 -
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
PTFA212401E V4
仓库库存编号:
PTFA212401E V4-ND
描述:
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 30V 1.6A 2.14GHz 15.8dB 50W H-36260-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PTFA212401E V4产品属性
产品规格
封装/外壳
2-扁平封装,叶片引线
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
频率
2.14GHz
零件状态
过期
供应商器件封装
H-36260-2
电压 - 额定
65V
额定电流
10μA
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
1.6A
增益
15.8dB
噪声系数
-
电压 - 测试
30V
功率 - 输出
50W
关键词
产品资料
PCN 过时产品/ EOL
PTFA212401(E,F) V4 25/Jun/2010
标准包装
35
其它名称
SP000426690
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包装 托盘
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频率 2.14GHz
Infineon Technologies 频率 2.14GHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.14GHz
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.14GHz
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 H-36260-2
Infineon Technologies 供应商器件封装 H-36260-2
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 H-36260-2
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电压 - 额定 65V
Infineon Technologies 电压 - 额定 65V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
额定电流 10μA
Infineon Technologies 额定电流 10μA
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 10μA
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晶体管类型 LDMOS
Infineon Technologies 晶体管类型 LDMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 1.6A
Infineon Technologies 电流 - 测试 1.6A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.6A
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.6A
增益 15.8dB
Infineon Technologies 增益 15.8dB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 15.8dB
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噪声系数 -
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电压 - 测试 30V
Infineon Technologies 电压 - 测试 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 30V
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功率 - 输出 50W
Infineon Technologies 功率 - 输出 50W
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 50W
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