PTFA241301E V1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PTFA241301E V1 - 

IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies PTFA241301E V1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PTFA241301E V1
仓库库存编号:
PTFA241301E V1-ND
描述:
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.42GHz 14dB 130W H-30260-2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PTFA241301E V1产品属性


产品规格
  封装/外壳  2-扁平封装,叶片引线  
  制造商  Infineon Technologies  
  系列  GOLDMOS?  
  包装  托盘   
  频率  2.42GHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  H-30260-2  
  电压 - 额定  65V  
  额定电流  10μA  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  1.15A  
  增益  14dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  28V  
  功率 - 输出  130W  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 20/Jan/2010
标准包装 35
其它名称 FA241301EV1XP
PTFA241301EV1X
SP000082766

PTFA241301E V1相关搜索

封装/外壳 2-扁平封装,叶片引线  Infineon Technologies 封装/外壳 2-扁平封装,叶片引线  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 2-扁平封装,叶片引线  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 2-扁平封装,叶片引线   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 Infineon Technologies   系列 GOLDMOS?  Infineon Technologies 系列 GOLDMOS?  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 GOLDMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 GOLDMOS?   包装 托盘   Infineon Technologies 包装 托盘   晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 托盘   Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 托盘    频率 2.42GHz  Infineon Technologies 频率 2.42GHz  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.42GHz  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 2.42GHz   零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 H-30260-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 H-30260-2  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 H-30260-2  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 H-30260-2   电压 - 额定 65V  Infineon Technologies 电压 - 额定 65V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V   额定电流 10μA  Infineon Technologies 额定电流 10μA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 10μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 10μA   晶体管类型 LDMOS  Infineon Technologies 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 1.15A  Infineon Technologies 电流 - 测试 1.15A  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.15A  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 1.15A   增益 14dB  Infineon Technologies 增益 14dB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 14dB  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 14dB   噪声系数 -  Infineon Technologies 噪声系数 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 28V  Infineon Technologies 电压 - 测试 28V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V   功率 - 输出 130W  Infineon Technologies 功率 - 输出 130W  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 130W  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 130W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号