PTVA120251EAV2R0XTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PTVA120251EAV2R0XTMA1 - 

IC AMP RF LDMOS H-36265-2

  • 非库存货
Infineon Technologies PTVA120251EAV2R0XTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PTVA120251EAV2R0XTMA1
仓库库存编号：
PTVA120251EAV2R0XTMA1-ND
描述：
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 50W H-36265-2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

PTVA120251EAV2R0XTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  H-36265-2  
  制造商  Infineon Technologies  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  频率  1.2GHz ~ 1.4GHz  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  H-36265-2  
  电压 - 额定  105V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  50mA  
  增益  17dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  50V  
  功率 - 输出  50W  
关键词         

产品资料
数据列表 PTVA120251EA
标准包装 50
其它名称 SP001401304

PTVA120251EAV2R0XTMA1相关搜索

封装/外壳 H-36265-2  Infineon Technologies 封装/外壳 H-36265-2  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 H-36265-2  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 H-36265-2   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 Infineon Technologies   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 带卷（TR）    频率 1.2GHz ~ 1.4GHz  Infineon Technologies 频率 1.2GHz ~ 1.4GHz  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 1.2GHz ~ 1.4GHz  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 1.2GHz ~ 1.4GHz   零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 H-36265-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 H-36265-2  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 H-36265-2  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 H-36265-2   电压 - 额定 105V  Infineon Technologies 电压 - 额定 105V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 105V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 105V   额定电流 -  Infineon Technologies 额定电流 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -   晶体管类型 LDMOS  Infineon Technologies 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 50mA  Infineon Technologies 电流 - 测试 50mA  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 50mA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 50mA   增益 17dB  Infineon Technologies 增益 17dB  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 17dB  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 17dB   噪声系数 -  Infineon Technologies 噪声系数 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 50V  Infineon Technologies 电压 - 测试 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 50V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 50V   功率 - 输出 50W  Infineon Technologies 功率 - 输出 50W  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 50W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 50W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号