SGB02N120,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
SGB02N120
SGB02N120 -
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
SGB02N120
仓库库存编号:
SGB02N120ATMA1CT-ND
描述:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SGB02N120产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
PG-TO263-3
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
62W
Current - Collector (Ic) (Max)
6.2A
测试条件
800V,2A,91 欧姆,15V
开关能量
220μJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.6A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.6V @ 15V,2A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/260ns
栅极电荷
11nC
关键词
产品资料
数据列表
SGB02N120
标准包装
1
其它名称
SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND
SGB02N120相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 10.8V - 13.2V 输入
型号:
MGJ2D121505SC
仓库库存编号:
811-3001-5-ND
别名:811-3001-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151505SC
仓库库存编号:
811-3004-5-ND
别名:811-3004-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -8.7V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -8.7V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151509SC
仓库库存编号:
811-3005-5-ND
别名:811-3005-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241505SC
仓库库存编号:
811-3007-5-ND
别名:811-3007-5
无铅
搜索
SGB02N120相关搜索
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 已不再提供
Infineon Technologies 零件状态 已不再提供
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 PG-TO263-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 62W
Infineon Technologies Power - Max 62W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 62W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 62W
Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A
测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,2A,91 欧姆,15V
开关能量 220μJ
Infineon Technologies 开关能量 220μJ
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 220μJ
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 220μJ
Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,2A
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/260ns
栅极电荷 11nC
Infineon Technologies 栅极电荷 11nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 11nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 11nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号