SGP07N120XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SGP07N120XKSA1 - 

IGBT 1200V 16.5A 125W TO220

Infineon Technologies SGP07N120XKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SGP07N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP07N120XKSA1-ND
描述:
IGBT 1200V 16.5A 125W TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Through Hole PG-TO220-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SGP07N120XKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO220-3  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  125W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  16.5A  
  测试条件  800V,8A,47 欧姆,15V  
  开关能量  1mJ  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  27A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  3.6V @ 15V,8A  
  25°C 时 Td(开/关)值  27ns/440ns  
  栅极电荷  70nC  
关键词         

产品资料
数据列表 SGP07N120
标准包装 500
其它名称 SGP07N120
SGP07N120-ND
SP000683116

SGP07N120XKSA1相关搜索

封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO220-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO220-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 125W  Infineon Technologies Power - Max 125W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 125W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 16.5A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 16.5A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16.5A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16.5A   测试条件 800V,8A,47 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 800V,8A,47 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,8A,47 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,8A,47 欧姆,15V   开关能量 1mJ  Infineon Technologies 开关能量 1mJ  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1mJ  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1mJ   Current - Collector Pulsed (Icm) 27A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 27A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 27A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 27A   IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,8A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,8A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,8A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.6V @ 15V,8A   25°C 时 Td(开/关)值 27ns/440ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/440ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/440ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 27ns/440ns   栅极电荷 70nC  Infineon Technologies 栅极电荷 70nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 70nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 70nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号