SI4435DYTRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF -
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
SI4435DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4435DYPBFCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI4435DYTRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
60nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
20 毫欧 @ 8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2320pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SI4435DYPbF
标准包装
1
其它名称
*SI4435DYTRPBF
SI4435DYPBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
1206SFF400F/32-2CT-ND
别名:1206SFF400F/32-2CT
1206SFF400F/32CT
1206SFF400F/32CT-ND
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
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无铅
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型号:
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别名:SI4435DYCT
SI4435DYCT-ND
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无铅
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型号:
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无铅
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