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SIDC08D120H6 - 

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

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Infineon Technologies SIDC08D120H6
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制造商产品编号:
SIDC08D120H6
仓库库存编号:
SIDC08D120H6-ND
描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 1200V 10A(DC) 带箔切割晶片
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIDC08D120H6产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  带箔切割晶片  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  27μA @ 1200V  
  电流 - 平均整流(Io)  10A(DC)  
  不同 If 时的电压 - 正向(Vf)  1.6V @ 10A  
  工作温度 - 结  -55°C ~ 150°C  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向(Vr)(最大值)  1200V  
  不同?Vr,F 时的电容  -  
  速度  标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 SP000013216

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Infineon Technologies - SIDC08D120H6 - DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 10A(DC) 带箔切割晶片

型号:SIDC08D120H6
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