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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TO220-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	50ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	62W
Current - Collector (Ic) (Max)	6.2A
测试条件	800V，2A，91 欧姆，15V
开关能量	220μJ
Current - Collector Pulsed (Icm)	9.6A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.6V @ 15V，2A
25°C 时 Td（开/关）值	23ns/260ns
栅极电荷	11nC
关键词

产品资料

数据列表	SKP02N120
标准包装	500
其它名称	SKP02N120 SKP02N120-ND SP000683134

封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO220-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 50ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 50ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 50ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 50ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 62W  Infineon Technologies Power - Max 62W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62W   Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6.2A   测试条件 800V，2A，91 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 800V，2A，91 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，2A，91 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，2A，91 欧姆，15V   开关能量 220μJ  Infineon Technologies 开关能量 220μJ  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 220μJ  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 220μJ   Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 9.6A   IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，2A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，2A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，2A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，2A   25°C 时 Td（开/关）值 23ns/260ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 23ns/260ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 23ns/260ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 23ns/260ns   栅极电荷 11nC  Infineon Technologies 栅极电荷 11nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 11nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 11nC