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SKW30N60FKSA1
SKW30N60FKSA1 -
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
SKW30N60FKSA1
仓库库存编号:
SKW30N60FKSA1-ND
描述:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SKW30N60FKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
400ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
250W
Current - Collector (Ic) (Max)
41A
测试条件
400V,30A,11 欧姆,15V
开关能量
1.29mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
112A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
44ns/291ns
栅极电荷
140nC
关键词
产品资料
数据列表
SKW30N60
标准包装
240
其它名称
SKW30N60
SKW30N60-ND
SP000012484
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 4.5V - 5.5V 输入
型号:
MGJ2D051505SC
仓库库存编号:
811-2998-5-ND
别名:811-2998-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 10.8V - 13.2V 输入
型号:
MGJ2D121505SC
仓库库存编号:
811-3001-5-ND
别名:811-3001-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151505SC
仓库库存编号:
811-3004-5-ND
别名:811-3004-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241505SC
仓库库存编号:
811-3007-5-ND
别名:811-3007-5
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 400ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,11 欧姆,15V
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开关能量 1.29mJ
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.29mJ
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Current - Collector Pulsed (Icm) 112A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 112A
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IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,30A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,30A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,30A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值 44ns/291ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 44ns/291ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 44ns/291ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 44ns/291ns
栅极电荷 140nC
Infineon Technologies 栅极电荷 140nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 140nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 140nC
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