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产品规格

封装/外壳	SC-74，SOT-457
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SC74-6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
功率 - 最大值	330mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	SMBT3904, MMBT3904
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 27/Jul/2010
标准包装	3,000
其它名称	SMBT3904UE6327XT SP000012615

封装/外壳 SC-74，SOT-457  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-74，SOT-457  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74，SOT-457  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74，SOT-457   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SC74-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SC74-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 PG-SC74-6  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 PG-SC74-6   晶体管类型 2 NPN（双）  Infineon Technologies 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz   功率 - 最大值 330mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 330mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 330mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 330mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V