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SN7002N E6327 - 

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies SN7002N E6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SN7002N E6327
仓库库存编号：
SN7002N E6327-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SN7002N-E6327
库存编号:SN7002NE6327-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-30
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SN7002N E6327 Infineon Technologies AG  
76800
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SN7002N E6327产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SIPMOS?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-SOT23-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  5 欧姆 @ 500mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  45pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.8V @ 26μA  
  功率耗散（最大值）  360mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 28/Mar/2008
标准包装 3,000
其它名称 SN7002NE6327XT
SP000014634

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SN7002NE6327
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Infineon Technologies - SN7002N E6327 - MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3

型号：SN7002N E6327
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