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SPA15N60C3XKSA1
SPA15N60C3XKSA1 -
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
SPA15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60C3XKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SPA15N60C3XKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
CoolMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO220-FP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
63nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 9.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1660pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 675μA
功率耗散(最大值)
34W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
SPP/SPI/SPA15N60C3
标准包装
500
其它名称
SP000216325
SPA15N60C3
SPA15N60C3IN
SPA15N60C3IN-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R199CPXKSA1-ND
别名:IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU01N60C3
仓库库存编号:
SPU01N60C3IN-ND
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型号:
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型号:
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仓库库存编号:
IHW20N135R3FKSA1-ND
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SP000909532
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型号:
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
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