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SPB04N60C3
SPB04N60C3 -
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
SPB04N60C3
仓库库存编号:
SPB04N60C3INCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SPB04N60C3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
CoolMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
25nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
950 毫欧 @ 2.8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
490pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 200μA
功率耗散(最大值)
50W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
SPB04N60C3
标准包装
1
其它名称
SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
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制造商 Infineon Technologies
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 CoolMOS??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 CoolMOS??
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包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3-2
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 200μA
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漏源电压(Vdss) 650V
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