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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	CoolMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT223-4
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.5 欧姆 @ 1.1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	400mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 80μA
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta）
漏源电压（Vdss）	650V
关键词

产品资料

PCN 过时产品/ EOL	SPN0xN60x 18/Dec/2009
标准包装	1,000
其它名称	SP000101878 SPN02N60C3XT

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 CoolMOS??  Infineon Technologies 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS??   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 80μA   功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）   漏源电压（Vdss） 650V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 650V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V