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SPP18P06P H - 

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Infineon Technologies SPP18P06P H
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SPP18P06P H
仓库库存编号：
SPP18P06P H-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SPP18P06P H产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  SIPMOS?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO-220-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  28nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  130 毫欧 @ 13.2A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  18.7A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  860pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  81.1W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 SPP18P06P H
标准包装 500
其它名称 SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1

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