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产品规格

封装/外壳	16-DIP（0.300"，7.62mm）
制造商	Intersil
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	16-PDIP
晶体管类型	5 NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 50mA，3V
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	700mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	450MHz
功率 - 最大值	500mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
关键词

产品资料

数据列表	CA3083
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 23/Apr/2012
标准包装	25

封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  Intersil 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）   制造商 Intersil  Intersil 制造商 Intersil  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Intersil  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Intersil   安装类型 通孔  Intersil 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Intersil 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Intersil 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Intersil 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Intersil 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 16-PDIP  Intersil 供应商器件封装 16-PDIP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP   晶体管类型 5 NPN  Intersil 晶体管类型 5 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 5 NPN  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 5 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 50mA，3V  Intersil 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 50mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 50mA，3V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 50mA，3V   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Intersil 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 5mA，50mA  Intersil 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 5mA，50mA  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 450MHz  Intersil 频率 - 跃迁 450MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 450MHz  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 450MHz   功率 - 最大值 500mW  Intersil 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Intersil 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Intersil 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V