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产品规格

封装/外壳	14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Intersil
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	14-SOIC
晶体管类型	6 NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 10mA，3V
频率 - 跃迁	10GHz
功率 - 最大值	250mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	12.4dB ~ 17.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
关键词

产品资料

数据列表	HFA3102
标准包装	2,500

封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Intersil 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Intersil  Intersil 制造商 Intersil  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil   安装类型 表面贴装  Intersil 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Intersil 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Intersil 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Intersil 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Intersil 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 14-SOIC  Intersil 供应商器件封装 14-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC   晶体管类型 6 NPN  Intersil 晶体管类型 6 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 6 NPN  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 6 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，3V  Intersil 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，3V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 10mA，3V   频率 - 跃迁 10GHz  Intersil 频率 - 跃迁 10GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz   功率 - 最大值 250mW  Intersil 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Intersil 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Intersil 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 12.4dB ~ 17.5dB  Intersil 增益 12.4dB ~ 17.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12.4dB ~ 17.5dB  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12.4dB ~ 17.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  Intersil 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz