HFA3127BZ,Intersil,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
>
HFA3127BZ
HFA3127BZ -
IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Intersil
Intersil
制造商产品编号:
HFA3127BZ
仓库库存编号:
HFA3127BZ-ND
描述:
IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
HFA3127BZ产品属性
产品规格
封装/外壳
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Intersil
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
16-SOIC
晶体管类型
5 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 10mA,2V
频率 - 跃迁
8GHz
功率 - 最大值
150mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
65mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
3.5dB @ 1GHz
关键词
产品资料
数据列表
HFA3046,96, HFA3127,28
标准包装
48
HFA3127BZ您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Intersil
IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC
详细描述:RF Transistor 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
HFA3096BZ
仓库库存编号:
HFA3096BZ-ND
无铅
搜索
HFA3127BZ相关搜索
封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Intersil 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Intersil
Intersil 制造商 Intersil
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil
安装类型 表面贴装
Intersil 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Intersil 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Intersil 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
包装 带卷(TR)
Intersil 包装 带卷(TR)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Intersil 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售
供应商器件封装 16-SOIC
Intersil 供应商器件封装 16-SOIC
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 16-SOIC
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 16-SOIC
晶体管类型 5 NPN
Intersil 晶体管类型 5 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 5 NPN
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 5 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,2V
Intersil 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,2V
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,2V
频率 - 跃迁 8GHz
Intersil 频率 - 跃迁 8GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz
功率 - 最大值 150mW
Intersil 功率 - 最大值 150mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 150mW
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 150mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65mA
Intersil 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65mA
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
Intersil 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
增益 -
Intersil 增益 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
Intersil 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.5dB @ 1GHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号