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产品规格

封装/外壳	86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
制造商	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装类型	表面贴装
工作温度	0°C ~ 70°C（TA）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
电压 - 电源	3.15 V ~ 3.45 V
供应商器件封装	86-TSOP II
存储容量	64Mb （2M x 32）
技术	SDRAM
时钟频率	200MHz
存储器类型	易失
访问时间	5ns
写周期时间 - 字，页	-
存储器格式	DRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

数据列表	IS45S32200E
标准包装	1,500

封装/外壳 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 封装/外壳 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）  存储器 封装/外壳 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 封装/外壳 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）   制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  存储器 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc   安装类型 表面贴装  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）   系列 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 -  存储器 系列 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 系列 -   包装 带卷（TR）   ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 包装 带卷（TR）   存储器 包装 带卷（TR）   ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 零件状态 过期  存储器 零件状态 过期  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 零件状态 过期   电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V  存储器 电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V   供应商器件封装 86-TSOP II  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 供应商器件封装 86-TSOP II  存储器 供应商器件封装 86-TSOP II  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 供应商器件封装 86-TSOP II   存储容量 64Mb （2M x 32）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储容量 64Mb （2M x 32）  存储器 存储容量 64Mb （2M x 32）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储容量 64Mb （2M x 32）   技术 SDRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 技术 SDRAM  存储器 技术 SDRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 技术 SDRAM   时钟频率 200MHz  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 时钟频率 200MHz  存储器 时钟频率 200MHz  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 时钟频率 200MHz   存储器类型 易失  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器类型 易失   访问时间 5ns  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 访问时间 5ns  存储器 访问时间 5ns  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 访问时间 5ns   写周期时间 - 字，页 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 写周期时间 - 字，页 -  存储器 写周期时间 - 字，页 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 写周期时间 - 字，页 -   存储器格式 DRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器格式 DRAM  存储器 存储器格式 DRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器格式 DRAM   存储器接口 并联  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器接口 并联