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产品规格

封装/外壳	60-TFBGA
制造商	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装类型	表面贴装
工作温度	0°C ~ 85°C（TC）
系列	-
包装	托盘
零件状态	在售
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.9 V
供应商器件封装	60-TWBGA（10.5x8）
存储容量	1Gb （128M x 8）
技术	SDRAM - DDR2
时钟频率	400MHz
存储器类型	易失
访问时间	400ps
写周期时间 - 字，页	15ns
存储器格式	DRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

数据列表	IS4xDR81280C, IS4xDR16640C
标准包装	50
其它名称	706-1574

封装/外壳 60-TFBGA  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 封装/外壳 60-TFBGA  存储器 封装/外壳 60-TFBGA  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 封装/外壳 60-TFBGA   制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  存储器 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc   安装类型 表面贴装  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 85°C（TC）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 工作温度 0°C ~ 85°C（TC）  存储器 工作温度 0°C ~ 85°C（TC）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 工作温度 0°C ~ 85°C（TC）   系列 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 -  存储器 系列 -  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 系列 -   包装 托盘   ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 包装 托盘   存储器 包装 托盘   ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 包装 托盘    零件状态 在售  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 零件状态 在售  存储器 零件状态 在售  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 零件状态 在售   电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V   供应商器件封装 60-TWBGA（10.5x8）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 供应商器件封装 60-TWBGA（10.5x8）  存储器 供应商器件封装 60-TWBGA（10.5x8）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 供应商器件封装 60-TWBGA（10.5x8）   存储容量 1Gb （128M x 8）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储容量 1Gb （128M x 8）  存储器 存储容量 1Gb （128M x 8）  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储容量 1Gb （128M x 8）   技术 SDRAM - DDR2  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 技术 SDRAM - DDR2  存储器 技术 SDRAM - DDR2  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 技术 SDRAM - DDR2   时钟频率 400MHz  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 时钟频率 400MHz  存储器 时钟频率 400MHz  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 时钟频率 400MHz   存储器类型 易失  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器类型 易失   访问时间 400ps  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 访问时间 400ps  存储器 访问时间 400ps  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 访问时间 400ps   写周期时间 - 字，页 15ns  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 写周期时间 - 字，页 15ns  存储器 写周期时间 - 字，页 15ns  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 写周期时间 - 字，页 15ns   存储器格式 DRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器格式 DRAM  存储器 存储器格式 DRAM  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器格式 DRAM   存储器接口 并联  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 存储器接口 并联