CPC3703CTR,IXYS Integrated Circuits Division,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CPC3703CTR - 

MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89

IXYS Integrated Circuits Division CPC3703CTR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CPC3703CTR
仓库库存编号：
CPC3703CCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CPC3703CTR产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  IXYS Integrated Circuits Division  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 125°C（TA）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-89-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±15V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4 欧姆 @ 200mA，0V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  0V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  360mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  350pF @ 25V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  1.1W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  250V  
关键词         

产品资料
数据列表 CPC3703
标准包装 1
其它名称 CPC3703CCT

CPC3703CTR您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

CPC3703CTR相关搜索

封装/外壳 TO-243AA  IXYS Integrated Circuits Division 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 IXYS Integrated Circuits Division  IXYS Integrated Circuits Division 制造商 IXYS Integrated Circuits Division  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division   安装类型 表面贴装  IXYS Integrated Circuits Division 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 125°C（TA）  IXYS Integrated Circuits Division 工作温度 -55°C ~ 125°C（TA）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 125°C（TA）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 125°C（TA）   系列 -  IXYS Integrated Circuits Division 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   IXYS Integrated Circuits Division 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  IXYS Integrated Circuits Division 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-89-3  IXYS Integrated Circuits Division 供应商器件封装 SOT-89-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89-3  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS Integrated Circuits Division 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±15V  IXYS Integrated Circuits Division Vgs（最大值） ±15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 200mA，0V  IXYS Integrated Circuits Division 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 200mA，0V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 200mA，0V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 200mA，0V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  IXYS Integrated Circuits Division 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V   FET 类型 N 沟道  IXYS Integrated Circuits Division FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V   FET 功能 耗尽模式  IXYS Integrated Circuits Division FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）   漏源电压（Vdss） 250V  IXYS Integrated Circuits Division 漏源电压（Vdss） 250V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 250V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 250V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号