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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	IXYS Integrated Circuits Division
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 110°C（TA）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-89
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	14 欧姆 @ 50mA，350mV
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-0.35V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	300pF @ 0V
FET 功能	耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	1.1W（Ta）
漏源电压（Vdss）	350V
关键词

产品资料

数据列表	CPC3708
标准包装	1
其它名称	CLA4144CT

封装/外壳 TO-243AA  IXYS Integrated Circuits Division 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 IXYS Integrated Circuits Division  IXYS Integrated Circuits Division 制造商 IXYS Integrated Circuits Division  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division   安装类型 表面贴装  IXYS Integrated Circuits Division 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 110°C（TA）  IXYS Integrated Circuits Division 工作温度 -40°C ~ 110°C（TA）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 110°C（TA）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 110°C（TA）   系列 -  IXYS Integrated Circuits Division 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   IXYS Integrated Circuits Division 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  IXYS Integrated Circuits Division 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-89  IXYS Integrated Circuits Division 供应商器件封装 SOT-89  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-89   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS Integrated Circuits Division 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  IXYS Integrated Circuits Division Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 14 欧姆 @ 50mA，350mV  IXYS Integrated Circuits Division 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 14 欧姆 @ 50mA，350mV  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 14 欧姆 @ 50mA，350mV  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 14 欧姆 @ 50mA，350mV   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -0.35V  IXYS Integrated Circuits Division 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -0.35V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -0.35V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -0.35V   FET 类型 N 沟道  IXYS Integrated Circuits Division FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5mA（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5mA（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 0V  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 0V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 0V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF @ 0V   FET 功能 耗尽模式  IXYS Integrated Circuits Division FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）   漏源电压（Vdss） 350V  IXYS Integrated Circuits Division 漏源电压（Vdss） 350V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 350V  IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 350V