CPC5602CTR,IXYS Integrated Circuits Division,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
CPC5602CTR
CPC5602CTR -
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS Integrated Circuits Division
IXYS Integrated Circuits Division
制造商产品编号:
CPC5602CTR
仓库库存编号:
CLA298CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 5mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
CPC5602CTR产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
IXYS Integrated Circuits Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
14 欧姆 @ 50mA,350mV
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-0.35V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
300pF @ 0V
FET 功能
耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
350V
关键词
产品资料
数据列表
CPC5602
标准包装
1
其它名称
CLA298CT
CPC5602CTR您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Littelfuse Inc.
SIDACTOR BI 275V 250A DO-214AA
型号:
P3100SBLRP
仓库库存编号:
P3100SBLRPCT-ND
别名:P3100SBLRPCT
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
IC LITELINK III HALF RING 32SOIC
详细描述:Telecom IC Data Access Arrangement (DAA) 32-SOIC
型号:
CPC5620ATR
仓库库存编号:
CLA300CT-ND
别名:CLA300CT
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
IC LITELINK III FULL RING 32SOIC
详细描述:Telecom IC Data Access Arrangement (DAA) 32-SOIC
型号:
CPC5621ATR
仓库库存编号:
CLA321CT-ND
别名:CLA321CT
无铅
搜索
IXYS Integrated Circuits Division
IC PHONE LINE INTERFACE 32SOIC
详细描述:Telecom IC Data Access Arrangement (DAA) 32-SOIC
型号:
CPC5622ATR
仓库库存编号:
CLA322CT-ND
别名:CLA322CT
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
LND150K1-G
仓库库存编号:
LND150K1-GCT-ND
别名:LND150K1-GCT
无铅
搜索
CPC5602CTR相关搜索
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
IXYS Integrated Circuits Division 制造商 IXYS Integrated Circuits Division
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS Integrated Circuits Division
安装类型 表面贴装
IXYS Integrated Circuits Division 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
IXYS Integrated Circuits Division 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
系列 -
IXYS Integrated Circuits Division 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
IXYS Integrated Circuits Division 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
IXYS Integrated Circuits Division 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-223
IXYS Integrated Circuits Division 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS Integrated Circuits Division 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
IXYS Integrated Circuits Division Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 14 欧姆 @ 50mA,350mV
IXYS Integrated Circuits Division 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 14 欧姆 @ 50mA,350mV
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 14 欧姆 @ 50mA,350mV
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 14 欧姆 @ 50mA,350mV
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -0.35V
IXYS Integrated Circuits Division 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -0.35V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -0.35V
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -0.35V
FET 类型 N 沟道
IXYS Integrated Circuits Division FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5mA(Ta)
IXYS Integrated Circuits Division 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5mA(Ta)
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 0V
IXYS Integrated Circuits Division 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 0V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 0V
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 0V
FET 功能 耗尽模式
IXYS Integrated Circuits Division FET 功能 耗尽模式
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
IXYS Integrated Circuits Division 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
IXYS Integrated Circuits Division 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss) 350V
IXYS Integrated Circuits Division 漏源电压(Vdss) 350V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 350V
IXYS Integrated Circuits Division 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 350V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号