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产品规格

封装/外壳	i4-Pac?-5
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS i4-PAC?
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	125W
电流 - 集电极截止（最大值）	600μA
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，25A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	1.6nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	FII40-06D
标准包装	25
其它名称	FII4006D Q2152322

封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 封装/外壳 i4-Pac?-5  晶体管 - IGBT - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - IGBT - 阵列 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - IGBT - 阵列 系列 -  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 系列 -   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  晶体管 - IGBT - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 阵列 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 输入 标准   配置 半桥  IXYS 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 阵列 配置 半桥  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 阵列 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 125W  IXYS Power - Max 125W  晶体管 - IGBT - 阵列 Power - Max 125W  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Power - Max 125W   电流 - 集电极截止（最大值） 600μA  IXYS 电流 - 集电极截止（最大值） 600μA  晶体管 - IGBT - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 600μA  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 600μA   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - IGBT - 阵列 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 阵列 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A   NTC 热敏电阻 无  IXYS NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 阵列 NTC 热敏电阻 无  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.6nF @ 25V  IXYS 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.6nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.6nF @ 25V  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.6nF @ 25V