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产品规格

封装/外壳	i4-Pac?-5
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	ISOPLUS i4-PAC?
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	150ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	200W
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
测试条件	600V，30A，39 欧姆，15V
开关能量	4.6mJ（开），2.2mJ（关）
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，30A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	150nC
关键词

产品资料

标准包装	24

封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 封装/外壳 i4-Pac?-5  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 i4-Pac?-5   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 150ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 150ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 150ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 150ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 200W  IXYS Power - Max 200W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 600V，30A，39 欧姆，15V  IXYS 测试条件 600V，30A，39 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，39 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，39 欧姆，15V   开关能量 4.6mJ（开），2.2mJ（关）  IXYS 开关能量 4.6mJ（开），2.2mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.6mJ（开），2.2mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.6mJ（开），2.2mJ（关）   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 150nC  IXYS 栅极电荷 150nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 150nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 150nC