FMP26-02P,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FMP26-02P - 

MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC

IXYS FMP26-02P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
FMP26-02P
仓库库存编号：
FMP26-02P-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FMP26-02P产品属性


产品规格
  封装/外壳  i4-Pac?-5  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  Polar??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOPLUS i4-PAC?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  70nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  60 毫欧 @ 25A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  26A，17A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2720pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  200V  
  功率 - 最大值  125W  
关键词         

产品资料
数据列表 FMP26-02P
标准包装 25
其它名称 FMP2602P

FMP26-02P您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

FMP26-02P相关搜索

封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 封装/外壳 i4-Pac?-5  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 Polar??  IXYS 系列 Polar??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Polar??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Polar??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 25A，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 25A，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 25A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  IXYS FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A，17A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A，17A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A，17A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A，17A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2720pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2720pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2720pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2720pF @ 25V   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 200V  IXYS 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 200V   功率 - 最大值 125W  IXYS 功率 - 最大值 125W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125W  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号