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产品规格

封装/外壳	17-SMD，鸥翼型
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS-DIL?
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	110nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.5 毫欧 @ 100A，10V
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	180A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	40V
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

数据列表	GWM180-004X2
标准包装	1

封装/外壳 17-SMD，鸥翼型  IXYS 封装/外壳 17-SMD，鸥翼型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 17-SMD，鸥翼型  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 17-SMD，鸥翼型   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V   FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  IXYS FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 40V  IXYS 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V   功率 - 最大值 -  IXYS 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -