GWM220-004P3-SL SAM,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

GWM220-004P3-SL SAM - 

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

  • 已过时的产品。
IXYS GWM220-004P3-SL SAM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
GWM220-004P3-SL SAM
仓库库存编号:
GWM220-004P3-SL SAM-ND
描述:
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

GWM220-004P3-SL SAM产品属性


产品规格
  封装/外壳  17-SMD,扁平引线  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  ISOPLUS-DIL?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  94nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  6 N-沟道(3 相桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  180A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  40V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
标准包装 1

GWM220-004P3-SL SAM相关搜索

封装/外壳 17-SMD,扁平引线  IXYS 封装/外壳 17-SMD,扁平引线  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 17-SMD,扁平引线  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 17-SMD,扁平引线   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-DIL?   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 94nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -   FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)  IXYS FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A  IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA   漏源电压(Vdss) 40V  IXYS 漏源电压(Vdss) 40V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 40V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 40V   功率 - 最大值 -  IXYS 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号