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产品规格

封装/外壳	9-SMD 模块
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	托盘
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS-SMPD?.B
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	147W
Current - Collector (Ic) (Max)	43A
测试条件	600V，25A，39 欧姆，15V
开关能量	2.5mJ（开），3mJ（关）
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值	70ns/250ns
栅极电荷	76nC
关键词

产品资料

数据列表	IXA30RG1200DHGLB
标准包装	45

封装/外壳 9-SMD 模块  IXYS 封装/外壳 9-SMD 模块  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 9-SMD 模块  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 9-SMD 模块   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 托盘   IXYS 包装 托盘   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 托盘   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 托盘    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 147W  IXYS Power - Max 147W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 147W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 147W   Current - Collector (Ic) (Max) 43A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 43A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 43A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 43A   测试条件 600V，25A，39 欧姆，15V  IXYS 测试条件 600V，25A，39 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，39 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，39 欧姆，15V   开关能量 2.5mJ（开），3mJ（关）  IXYS 开关能量 2.5mJ（开），3mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开），3mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开），3mJ（关）   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A   25°C 时 Td（开/关）值 70ns/250ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/250ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/250ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/250ns   栅极电荷 76nC  IXYS 栅极电荷 76nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 76nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 76nC