IXBF20N360,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXBF20N360
IXBF20N360 -
IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXBF20N360
仓库库存编号:
IXBF20N360-ND
描述:
IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 3600V 45A 230W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXBF20N360产品属性
产品规格
封装/外壳
i4-Pac?-5
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
BIMOSFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC?
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
1.7μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3600V
Power - Max
230W
Current - Collector (Ic) (Max)
45A
测试条件
1500V,20A,10 欧姆,15V
开关能量
15.5mJ(开),4.3mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
220A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.4V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
18ns/238ns
栅极电荷
43nC
关键词
产品资料
数据列表
IXBF20N360
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
IXBT12N300-ND
无铅
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IXYS
IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
详细描述:IGBT 4000V 30A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
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仓库库存编号:
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别名:Q5897999
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型号:
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制造商 IXYS
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.4V @ 15V,20A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.4V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值 18ns/238ns
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 18ns/238ns
栅极电荷 43nC
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 43nC
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