IXBL60N360,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXBL60N360
IXBL60N360 -
IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXBL60N360
仓库库存编号:
IXBL60N360-ND
描述:
IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 3600V 92A 417W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXBL60N360产品属性
产品规格
封装/外壳
ISOPLUSi5-Pak?
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
BIMOSFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
ISOPLUSi5-Pak?
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
1.95μs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3600V
Power - Max
417W
Current - Collector (Ic) (Max)
92A
测试条件
960V,60A,4.7 欧姆,15V
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
720A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.4V @ 15V,60A
25°C 时 Td(开/关)值
50ns/340ns
栅极电荷
450nC
关键词
产品资料
数据列表
IXBL60N360
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
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详细描述:IGBT 4000V 90A 380W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXEL40N400
仓库库存编号:
IXEL40N400-ND
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
详细描述:IGBT 3000V 130A 625W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXBX55N300
仓库库存编号:
IXBX55N300-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
详细描述:IGBT 4000V 30A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXGF30N400
仓库库存编号:
IXGF30N400-ND
别名:Q5897999
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
详细描述:IGBT 3600V 125A 660W Through Hole TO-247-3
型号:
IXBX50N360HV
仓库库存编号:
IXBX50N360HV-ND
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 70A TO-247HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
型号:
IXBH20N360HV
仓库库存编号:
IXBH20N360HV-ND
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?
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制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.4V @ 15V,60A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.4V @ 15V,60A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.4V @ 15V,60A
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/340ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 50ns/340ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 50ns/340ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 50ns/340ns
栅极电荷 450nC
IXYS 栅极电荷 450nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 450nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 450nC
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